黄风义，博士、教授、博士生导师（微电子与集成电路芯片领域）。

教育部“长江学者”特聘教授，国务院政府特殊津贴专家。

上海市科技领军人才。

北京大学物理系获学士学位，复旦大学物理系获理论物理硕士学位。

美国伊利诺斯大学香槟分校（UIUC）获博士学位。

美国加利福尼亚大学洛杉矶分校（UCLA）电子工程系从事过博士后研究。

曾在美国纽约IBM高等半导体技术研究中心（ASTC）任研发工程师，作为锗硅技术项目组的第一位大陆华人，为IBM研发出国际领先的锗硅技术做出重要贡献，获IBM微电子部总经理的杰出贡献奖。

在理论物理、微电子器件、材料和工艺、光电子、集成电路等领域，以第一作者（或单独作者）发表SCI论文40多篇，包括国际权威期刊（及会议）Phys. Rev. Lett，IEEE IEDM，IEEE J. Solid State Circuits，IEEE Electron Device Lett，Photonic Tech. Lett，等。被授予二十多项美国及中国专利。

著有中小学数学教本《数学一点通》（2018年），经济学专著《经济学百年纠结》（2015年，百道中国好书榜年度月份前二十名），儿童启蒙读物《百科启蒙歌》（2015年）。

多年来从事教育、科研和高科技创业，研发的某些高端芯片产品填补了国内空白。被授予上海市科技进步奖，研发成果被《科技导报》评为年度中国重大科学进展。作为项目负责人，承担科技部国家重大科技专项、重点研发计划重点专项（光电子与微电子器件与集成领域）。

电子邮件：fyh111@hotmail.com